斯達半導體：車規級IGBT與SiC MOSFET模塊產品加速上車

       在斯達半導體半年度業績說明會上，董事長總經理沈華表示，目前公司正在積極擴產，以滿足在新能源汽車、新能源發電、儲能等行業不斷增長的市場需求。

新一代IGBT芯片大批量應用

      2022年上半年，斯達半導體實現營業收入11.54億元，同比增長六成，歸屬于上市公司股東的凈利潤3.47億元，同比增長1.25倍。公司在手訂單增長速度，報告期內合同負債項目同比上期增長近四倍；公司也加大了研發投入，上半年研發費用同比增長超過七成。

      從業務板塊來看，斯達半導在新能源行業強勁增長，營業收入同比增長近兩倍至5.47億元，規模逼近工業控制和電源行業營收規模，公司變頻白色家電及其他行業的營業收入為4070.2萬元，較上年同期增長近兩成。

     沈華介紹，目前斯達半導基于第六代Trench Field Stop技術的全系列自主IGBT芯片已經廣泛應用于公司下游各行業，電壓等級覆蓋600V/650V/950V/1200V/1700V等，芯片自主比率接近100%。同時，公司基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術的新一代IGBT芯片已經在下游各行業開始大批量應用。

     今年上半年，斯達半導生產的應用于主電機控制器的車規級IGBT模塊持續放量，合計配套超過50萬輛新能源汽車，預計下半年配套數量將進一步增加，其中A級及以上車型超過20萬輛。同時公司在用于車用空調、充電樁、電子助力轉向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高。

進一來看，公司基于第六代Trench Field Stop技術車規級IGBT模塊新增多個雙電控混動以及純電動車型的主電機控制器平臺定點，有望對2024年-2030年公司新能源汽車IGBT模塊銷售增長提供持續推動力；另外，基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術的新一代車規級650V/750VIGBT芯片通過客戶驗證，下半年開始批量供貨。

SiC MOSFET模塊大批量裝車

      與IGBT方案比，SiC MOSFET 方案可以有效的提升新能源汽車持續續航能力、空間利用等關鍵性指標，同時還可以減小電機控制器的體積，以特斯拉為代表的部分中高端車型已經開始使用SiC MOSFET方案。

      據披露，斯達半導應用于乘用車主控制器的車規級SiC MOSFET模塊開始大批量裝車，同時公司新增多個使用車規級SiC MOSFET模塊的800V系統的主電機控制器項目定點，預計將對公司2024-2030年主控制器用車規級SiC MOSFET模塊銷售增長提供持續推動力。

      在光伏儲能，斯達半導自主芯片的650V/1200V單管IGBT和模塊可提供從單管到模塊全部解決方案，已成為戶用和工商業并網逆變器和儲能變流器的主要供應商，同時，公司應用于光伏行業的1200VIGBT模塊在1500V系統地面電光伏電站和儲能系統中開始批量應用。